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提供了一种半导体器件。半导体器件包括鳍结构，其具有交替地堆叠在衬底上并在第一方向上延伸的多个第一半导体图案和多个第二半导体图案。半导体器件包括半导体盖层，其位于鳍结构的上表面上，并在与第一方向交叉的第二方向上沿鳍结构的相对侧表面延伸。半导体...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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