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本发明提供一种绝缘栅双极性晶体管结构及其制备方法。包括：集电极结构，包括底部集电极，位于底部集电极上方的P++集电极区和位于P++集电极区上方的N+缓冲层；漂移区，位于N+缓冲层的上方，其中，漂移区中有超结结构，超结结构为沿着第三维z方向依...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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