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本发明公开了一种圆片级芯片扇出三维堆叠封装结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括下部封装体、再布线层(150)和上部封装体,所述上部封装体堆叠设置在下部封装体的上方,并通过再布线层(150)实现电信连接;芯片Ⅰ(110)周围设置有...该专利属于长电集成电路(绍兴)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长电集成电路(绍兴)有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种圆片级芯片扇出三维堆叠封装结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括下部封装体、再布线层(150)和上部封装体,所述上部封装体堆叠设置在下部封装体的上方,并通过再布线层(150)实现电信连接;芯片Ⅰ(110)周围设置有...