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本发明提出一种半导体器件及其制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底中至少包括下拉区和通道区，所述下拉区的宽度等于所述通道区的宽度；形成栅极氧化层于所述衬底上，所述栅极氧化层覆盖所述下拉区和所述通道区；形成多晶硅层于所述栅极氧化层上；形成图案化...
该专利属于晶芯成(北京)科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶芯成(北京)科技有限公司授权不得商用。

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