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本发明公开了一种磁场发生装置,所述的磁场发生装置上设有磁场发生端面,所述的磁场发生端面的厚度为100纳米至280微米,所述的厚度为平行于电子束方向的尺寸;此结构的磁场发生装置能产生0T‑1.5T的稳定匀强磁场。及一种可施加磁场的透射电子显微...该专利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院宁波材料技术与工程研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种磁场发生装置,所述的磁场发生装置上设有磁场发生端面,所述的磁场发生端面的厚度为100纳米至280微米,所述的厚度为平行于电子束方向的尺寸;此结构的磁场发生装置能产生0T‑1.5T的稳定匀强磁场。及一种可施加磁场的透射电子显微...