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一种基于气体电子倍增器的计数式线阵成像探测器，属于辐射成像领域。该成像探测器包括密闭气室（１）、漂移电极（２）、２～３层ＧＥＭ膜（３）等。漂移电极（２）、２～３层ＧＥＭ膜（３）等都置于密闭气室（１）中；ＧＥＭ膜上下表面电位差为３００～４００...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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