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本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。一种半导体结构，包括半导体基底；位于所述半导体基底上的有源区；与所述有源区连接的至少一个接触孔，所述接触孔包括在所述有源区处的凹槽；所述凹槽内填充有选择性外延生长硅层；在所述接触孔内填充有与所述选择性外...该专利属于中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司授权不得商用。