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本申请涉及半导体结构的制造方法多重图形化方法，本申请中在多重图形化方法的侧墙结构制程工艺中，在进行刻蚀侧墙层后形成了一层保护层以对下面的掩模层进行保护，从而避免后续的刻蚀工序对掩模层产生不期望的损失而导致的尺寸偏移现象。...该专利属于中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司授权不得商用。