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本发明公开了一种非易失性存储器与其操作方法，该非易失性存储器的操作方法包含：产生具有第一时间长度的第一写入脉冲至存储单元阵列中的目标存储单元；读取并验证目标存储单元的导通阈值电压是否达到目标电平；以及当目标存储单元的导通阈值电压未达目标电平...
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