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本申请提供一种3D NAND存储器件的制造方法，包括先对第二介质层进行刻蚀，形成贯穿至导电层的导电层接触孔，沉积保护材料，以在导电层接触孔侧壁和底部形成保护层，对第二介质层和第一介质层进行刻蚀，形成台阶区外围贯穿至衬底的外围接触孔，之后，可...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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