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本发明公开一种抗EMI的SGT器件，包括第一导电类型的衬底、位于第一导电类型的衬底的上表面的第一导电类型的外延层、位于第一导电类型的外延层内的沟槽栅结构、位于第一导电类型的外延层侧面上方的沟槽源结构、位于沟槽源结构与第一导电类型的外延层之间...
该专利属于深圳市威兆半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市威兆半导体有限公司授权不得商用。

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