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本发明提供了一种垂直量子阱结构AlGaN深紫外LED的制备方法，属于半导体技术领域，包括在衬底上依次生长AlN模板、生长n‑Al...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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