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本公开提出一种沟槽阵列晶体管结构及其制备方法，涉及集成电路制造技术领域。沟槽阵列晶体管结构包括衬底基板、沟槽及栅极氧化层。衬底基板具有有源区，其中，所述有源区内设置源极和漏极。沟槽位于所述衬底基板内穿过所述有源区，包括底部、侧壁、第一延伸部...
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