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提供了半导体器件及其形成方法。所述半导体器件包括：有源区；隔离区，限定所述有源区；阻挡层，位于所述有源区上；上半导体层，位于所述阻挡层上；以及栅极结构，覆盖所述上半导体层的上表面、下表面和在第一方向上的侧表面。所述第一方向是平行于所述有源区...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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