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本公开提出一种沟槽阵列晶体管结构及其制备方法，涉及集成电路制造技术领域。沟槽阵列晶体管结构的制备方法包括通过刻蚀在具有源区的衬底基板内形成沟槽；通过第一次氧化在沟槽的底部及侧壁形成氧化层；通过沉积在沟槽内填充绝缘层；通过刻蚀部分去除绝缘层暴...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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