温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种三维存储器件及其制作方法，该三维存储器件包括：第一阵列结构、第二阵列结构、第一互联层和第二互联层，其中，第一互联层位于第一基底背离第一堆叠层的一侧，且具有与第一通道电连接的第一键合触点，第二互联层位于第二堆叠层背离第二基底的一...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。