温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供一种半导体器件。该半导体器件包括：堆叠结构，该堆叠结构包括在衬底上彼此间隔开的多个电介质层、插设在所述多个电介质层之间的多个电极、和插设在所述多个电介质层之间的多个停止层；以及穿透堆叠结构的垂直沟道结构。所述多个电极和所述多个停止层中的...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。