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本发明的实施例公开了具有被配置为提供超低阈值电压的不同栅极结构的半导体器件的结构以及制造该半导体器件的方法。半导体器件包括分别在第一和第二纳米结构层中的第一和第二纳米结构沟道区域，以及分别围绕第一和第二纳米结构沟道区域的第一和第二全环栅(G...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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