温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开提供一种半导体元件及其制备方法，该半导体元件包含一基底、一半导体层以及一阻挡结构。该半导体层设置于该基底上。该阻挡结构设置于该基底与该半导体层之间。该阻挡结构的一尺寸大于该半导体层的一尺寸。该阻挡结构可抑制从在该阻挡结构下方的各层的杂...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。