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提供了一种集成电路器件及其制造方法。所述集成电路器件包括：嵌入绝缘层；半导体层，位于所述嵌入绝缘层上，所述半导体层具有主表面和从所述主表面突出以在第一水平方向上延伸且彼此平行的多个鳍型有源区；分隔绝缘层，将所述半导体层分隔成在与所述第一水平...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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