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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，通过形成沟槽隔离环于第一晶圆背面的焊盘区中，且所述沟槽隔离环包括第一金属层和第一绝缘材料层；形成绝缘介质层于所述第一晶圆的背面和所述沟槽隔离环上；形成通孔插栓结构于所述第一晶圆背面的焊盘区中，且所述通...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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