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本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底、多个栅极、一第一半导体层、一第一隔离层、一晶体上层以及一第二半导体层。该基底具有一记忆体胞区以及一周围区，其中该记忆体胞区具有至少一第一浅沟隔离且该周围区具有至少一第二浅沟隔离。...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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