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本发明提供一种具有隔离层的场效应晶体管及其制备方法，包括依次堆叠的底衬底、绝缘层及顶半导体层的半导体基底，顶半导体层中包覆具有间距的隔离层；栅极结构在垂向上的投影覆盖间距并与隔离层形成交叠区域，源极区及漏极区在垂向上的投影完全位于隔离层内。...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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