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本发明提供一种具有漏电屏蔽结构的SOI场效应晶体管及制备方法，结构包括：具有底衬底、绝缘层及呈半导体岛的顶半导体层的图形化SOI衬底，绝缘层中具有凹槽，半导体岛完全覆盖凹槽；第一导电类型重掺杂区，形成于凹槽上方的沿第二方向延伸的顶半导体层的...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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