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提供加工装置，其抑制装置的大型化并且提高按压被加工物的外周部分的按压力。通过保持面(300)中的比晶片(W)靠外侧的部分(300a)、第1环状密封件(87)的外壁、板(83)的下表面(83a)以及第2环状密封件(88)的内壁而形成作为密室的...
该专利属于株式会社迪思科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社迪思科授权不得商用。

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