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公开了3D存储器件以及用于形成其的方法的实施例。在一个示例中，3D存储器件包括：衬底；在衬底上的外围电路；在外围电路上方的包括交错的导电层和介电层的存储堆叠层；在存储堆叠层上方的P型掺杂半导体层；在P型掺杂半导体层中的N阱；各自垂直地延伸穿...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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