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本发明涉及一种用于高压容限电路的静电保护结构，包括：衬底，所述衬底上设置有阱区层，所述阱区层中相邻设置有第一阱区和第二阱区；所述阱区层上设置有掺杂离子层，所述掺杂离子层包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，所述第二掺杂区和第三掺杂区之间设...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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