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本发明涉及一种用于电场测量的耦合型光电集成传感器，属于高电压测量技术领域。该传感器包括采用具有电光效应的晶片，在该晶片表面用钛金属扩散法或质子交换方法形成输入Ｙ形分叉、中间互相平行的光波导；还包括在所述光波导的输出端连接的３ｄＢ耦合结构的光...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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