【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于高电压测量
,特别涉及适于高电场幅值情况下的隔离及强电场测 量的耦合型光电集成传感器。
技术介绍
在高电压或电磁脉冲环境下,会产生非常强的电场。对之进行测量的关键部件就是电 场传感器。该传感器不仅要能够耐受强电场环境,而且要能够测量出幅值很高的强电磁场。在传统高压测量领域, 一般采用电磁感应原理的传感器。常见的一种实现高压电场测 量的电场传感器如图l所示;由两个金属半球感应器2及用连接导线4连接在其中的测量 电容3所组成;其工作原理为外加电场1通过两个半球2感应出电压,通过测量电容3 上的电压来得到外加电场的值。这种基于电磁感应原理的电场传感器具有以下几个缺点。 1、传感器尺寸较大,不能实现空间精确定位测量;2、由于采用电磁感应原理,因此为整 个传感器金属结构,对于被测电场的分布影响非常大;3.、.电源问题难以解决;4、 一般采 用电缆作为信号传输通路,无法提供高带宽的路径,很^同时兼顾低频和高频性能,测量 的频率范围受到很大限制,难以实现瞬态信号的测量。因此,已有的电场传感器不能完全 满足电场测量的要求。在高电压与强电磁环境领域,迫切需要研 ...
【技术保护点】
一种用于电场测量的耦合型光电集成传感器,包括采用具有电光效应的晶片,在该晶片表面用钛金属扩散法或质子交换方法形成输入Y形分叉、中间互相平行的光波导;其特征在于,还包括在所述光波导的输出端连接的3dB耦合结构的光波导;在所述中间互相平行的两段光波导中的一段的上表面设置一个电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:曾嵘,牛犇,王博,耿屹楠,华勇,
申请(专利权)人:清华大学,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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