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本发明公开了一种基于钙钛矿的新型异质结光电器件及其制备方法，该光电器件包括半导体基底和位于其上表面的二氧化铪层，所述二氧化铪层上表面设有源极电极和漏极电极，所述二氧化铪层上表面位于所述源极电极和漏极电极之间设有钙钛矿薄膜，所述半导体基底下表...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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