【技术实现步骤摘要】
一种基于钙钛矿的新型异质结光电器件及其制备方法
本专利技术涉及一种光电器件，特别涉及一种基于钙钛矿的新型异质结光电器件及其制备方法。
技术介绍
钙钛矿作为近年来最流行的材料之一，成功引发新一轮的研究热潮。有机无机杂化钙钛矿，全无机钙钛矿等各种钙钛矿材料在光伏、光电、热电等领域吸引了众多科研工作者的研究兴趣，并且其生长过程比较简单，拥有更高的稳定性，因此受到了广泛的关注。部分钙钛矿的量子产率高达90％，具有合适的禁带宽度和窄的光致发光(PL)发射光谱的线宽，因此可应用于光电领域，比如太阳能电池、LED、光电探测器等。而且较低的载流子复合速度也会使得其在光电领域的优势更加明显。一般来说，钙钛矿在电子领域的发展受到其自身特性的影响，很难有一个较为可观的电流值，因此研究相应器件的光电特性会更加困难，而且检测度和外量子效率(EQE)较差，这大大限制了钙钛矿在光电晶体管领域的研究。因此，开发一个高效、灵敏、低成本的钙钛矿光电器件具有十分重要的意义。同时，HfO2作为一种绝缘材料，最近的研究在光电探测方向也有新发现，在较薄...
【技术保护点】
1.一种基于钙钛矿的新型异质结光电器件，其特征在于，包括半导体基底和位于其上表面的二氧化铪层，所述二氧化铪层上表面设有源极电极和漏极电极，所述二氧化铪层上表面位于所述源极电极和漏极电极之间设有钙钛矿薄膜，所述半导体基底下表面设置栅极电极。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于钙钛矿的新型异质结光电器件，其特征在于，包括半导体基底和位于其上表面的二氧化铪层，所述二氧化铪层上表面设有源极电极和漏极电极，所述二氧化铪层上表面位于所述源极电极和漏极电极之间设有钙钛矿薄膜，所述半导体基底下表面设置栅极电极。
2.根据权利要求1所述的一种基于钙钛矿的新型异质结光电器件，其特征在于，所述钙钛矿薄膜上表面设置钝化保护层。
3.根据权利要求1所述的一种基于钙钛矿的新型异质结光电器件，其特征在于，所述二氧化铪层的厚度为5-50nm。
4.根据权利要求1所述的一种基于钙钛矿的新型异质结光电器件，其特征在于，所述钙钛矿薄膜为有机钙钛矿材料或无机钙钛矿材料。
5.根据权利要求1所述的一种基于钙钛矿的新型异质结光电器件，其特征在于，所述钙钛矿薄膜为通过旋涂方法或外延生长方法获得。
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