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本发明公开了一种高亮度LED及其制备方法，包括衬底，所述衬底上依次生长有缓冲层、轻掺杂和重掺杂氮化物交替层、MQW有源层、p型半导体层，所述轻掺杂和重掺杂氮化物交替层上表面的裸露部分设有n电极，所述p型半导体层上设有p电极；所述轻掺杂和重掺...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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