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本发明公开了一种硅基特定光伏器件界面态的测量方法，能准确评估硅基异质结光伏器件界面态密度，待测的器件的钝化隧穿介质为超薄准绝缘SiO...
该专利属于上海大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海大学授权不得商用。

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