硅基特定光伏器件界面态的测量方法技术

本发明专利技术公开了一种硅基特定光伏器件界面态的测量方法，能准确评估硅基异质结光伏器件界面态密度，待测的器件的钝化隧穿介质为超薄准绝缘SiO

【技术实现步骤摘要】
硅基特定光伏器件界面态的测量方法
本专利技术涉及一种测量异质结太阳能电池的界面态密度的方法，尤其是指具有超薄氧化硅层，且非晶氧化层内含有少量金属元素的光伏器件，应用于高效晶硅太阳能电池的制备技术和硅氧化物薄膜复合材料科学

技术介绍
SQIS(SemiconductorQuasi-InsulatorSemiconductor)异质结太阳能电池起源于上世纪60年代，其因结构简单、低成本和较高的转换效率等优点而被广泛的研究。以ITO薄膜作为空穴选择层的ITO/a-SiOx/Si的异质结器件从40年前就已经开始研究。1976年，J.B.Dubow等人通过离子束溅射法在p-Si上沉积ITO薄膜，在AM1.0的光照条件下，器件获得12％的转换效率，当时他们就已经提出ITO/p-Si界面处存在超薄氧化硅的假设。在上世纪70年代到80年代之间，J.Shewchun研究小组在理论上及实验上研究了SQIS电池的载流子输运机制，提出当绝缘层厚度在2nm以下时，光生载流子会因隧穿效应从p-Si运输到ITO中，采用离子束溅射沉积ITO薄膜，得到的ITO/SiO本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅基特定光伏器件界面态的测量方法，对具有超薄氧化硅层的异质结器件界面态进行测量，其特征在于：所述具有超薄氧化硅层的异质结器件为空穴选择型ITO/SiO

【技术特征摘要】
1.一种硅基特定光伏器件界面态的测量方法，对具有超薄氧化硅层的异质结器件界面态进行测量，其特征在于：所述具有超薄氧化硅层的异质结器件为空穴选择型ITO/SiOx(In)/n-Si异质结光伏器件，其中ITO/SiOx(In)叠层复合薄膜材料中的超薄SiOx(In)物质层是在ITO薄膜和n-Si基底之间形成的，含有In和Sn元素，且厚度不大于2.0nm，利用电容-电压测量系统，采用光注入的方法，对空穴选择型ITO/SiOx(In)/n-Si异质结光伏器件的界面态密度进行测量。


2.根据权利要求1所述硅基特定光伏器件界面态的测量方法，其特征在于：超薄SiOx(In)物质层中包含了Si2O、SiO、Si2O3和SiO2一系列不同组分的化合物，而且硅的氧化物SiOx中含有In与Sn元素的离子和原子态。


3.根据权利要求1所述硅基特定光伏器件界面态的测量方法，其特征在于：超薄SiOx(In)物质层中含有In与Sn元素的负离子态，该类负离子在SiOx层中引入了受主扩展态，是非局域的。


4.根据权利要求1所述硅基特定光伏器件界面态的测量方法，其特征在于：超薄SiOx(In)物质层的厚度为1.0～2.0nm。


5.根据权利要求1所述具有超薄氧化硅层的异质结器件界面态的测量方法，其特征在于：在ITO/SiOx(In)/n-Si叠层复合薄膜中，ITO薄膜层厚度为80nm并作为空穴传输层，n-Si材料层的厚度为120～140μm。


6.根据权利要求1所述硅基特定光伏器件界面态的测量方法，其特征在于：采用光注入的方式，对空穴选择型ITO/SiOx(In)/n-Si异质结光伏器件的界面态密度进行测量，从获得的C-V曲线中推演出界面态密度。


7.根据权利要求1所述硅基特定...

【专利技术属性】
技术研发人员：马忠权，吴康敬，李勇，高明，赵磊，徐飞，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：上海;31