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本发明公开了一种提高集总参数环行器温度稳定性的方法,属于电子通讯技术领域,所述方法为减小所述集总参数环行器的外磁场尺寸,并使所述集总参数环行器工作环境为铁磁共振峰小于1的低场区域内;采用本发明的方法,需要的磁化强度可以降低50%以上,集总参...该专利属于中国电子科技集团公司第九研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第九研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种提高集总参数环行器温度稳定性的方法,属于电子通讯技术领域,所述方法为减小所述集总参数环行器的外磁场尺寸,并使所述集总参数环行器工作环境为铁磁共振峰小于1的低场区域内;采用本发明的方法,需要的磁化强度可以降低50%以上,集总参...