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等离子体蚀刻方法和等离子体处理装置制造方法及图纸
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文档序号:26181142
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在一个例示性的实施方式所涉及的等离子体蚀刻方法中,将基板配置于静电吸盘上且被聚焦环包围的区域内。通过被来自等离子体的离子将基板在被静电吸盘保持的状态下进行蚀刻。静电吸盘具有包括第一电极和第二电极的多个电极。第一电极在基板的中央区域的下方延伸...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。
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