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本公开实施例提供一种集成电路及形成半导体结构的方法。环绕式栅极纳米线晶体管具有垂直堆叠的多个纳米线通道、包裹纳米线通道的第一栅极介电层与包裹第一栅极介电层的第一栅极电极。环绕式栅极纳米片晶体管具有垂直堆叠的多个纳米片通道、包裹纳米片通道的第...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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