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本发明提供了一种半导体器件的制作方法，包括步骤：提供前端器件，前端器件包括介质层、嵌设于介质层中的金属层以及覆盖介质层的第一衬底；介质层包括位于金属层上方的刻蚀停止层；在所述第一衬底上方形成掩膜层；以掩膜层为掩膜，执行第一次刻蚀以刻蚀第一衬...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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