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用于熔接和剥离的低密度硅氧化物的方法和结构技术
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文档序号:26175955
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本文中描述的是一种接合以及/或者剥离基底的方法。在一个实施方案中,要被接合的基底的表面中的至少一个包括氧化物。在一个实施方案中,两个基底的表面均包括氧化物。然后,可以利用湿蚀刻通过蚀刻掉已经接合的层来剥离基底。在一个实施方案中,利用熔接工艺...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。
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