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本发明涉及一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底；在非原胞区的半导体衬底内形成第一沟槽，在第一沟槽内壁和非原胞区的半导体衬底上形成栅氧化层，在第一沟槽内填充多晶硅栅和在栅氧化层和第一沟槽上形成多晶硅栅层；在多晶硅栅层上形成半导体层；...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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