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本申请是一种元胞结构及其应用的半导体组件，所述元胞结构结边缘区包括一个以上的环单元，所述元胞结构包括半导体衬底，其上设置多数个第一与第二槽单元，每一槽底设置对应第一与第二槽单元的载流子势垒区与电场屏敝区，槽内设置导电材料而对应形成二栅极区。...
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