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本申请提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件至少包括基于氧化铪的电介质层，其中，基于氧化铪的电介质层包括四方氧化铪层、四方晶种层和掺杂层。...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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