温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

存储器件包括底部选择栅(BSG)结构。在衬底上穿过BSG结构垂直形成切缝。在BSG结构上形成单元‑层结构。栅极线狭缝垂直穿过单元‑层结构和BSG结构形成至衬底中，并且沿第一横向方向布置以区分指状区域。栅极线狭缝包括在第一指状区域与第二指状区...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。