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一种DRAM芯片及其参数测试方法，所述DRAM芯片包括：基底；位于所述基底上的DRAM存储电路；位于所述基底上的时钟产生电路，所述时钟产生电路用于在外部自动测试机台对DRAM芯片进行参数测试时向DRAM存储电路提供高频时钟信号。本发明的DR...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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