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本发明涉及一种二维材料层制备后转移方法,包括:在衬底表面形成二维材料层,在该二维材料层上旋凃高分子涂层;将衬底腐蚀掉,再将腐蚀掉衬底的二维材料层放置于目标基体上,然后置于加热板上加热,除去高分子涂层。该方法可以简单、高效、稳定地将大尺寸石墨...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。
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本发明涉及一种二维材料层制备后转移方法,包括:在衬底表面形成二维材料层,在该二维材料层上旋凃高分子涂层;将衬底腐蚀掉,再将腐蚀掉衬底的二维材料层放置于目标基体上,然后置于加热板上加热,除去高分子涂层。该方法可以简单、高效、稳定地将大尺寸石墨...