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一种半导体结构制造技术
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文档序号:25892810
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本发明提出一种半导体结构,涉及半导体生产技术领域,该半导体结构包括堆叠为一体的第一晶圆和第二晶圆;其中,所述第一晶圆包括电容区域和非电容区域;所述第二晶圆包括阵列区域和控制区域;所述电容区域和所述阵列区域相对应,所述非电容区域和控制区域相对...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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