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半导体结构的制作方法技术
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文档序号:25892751
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本发明提出一种半导体结构的制作方法,涉及半导体生产技术领域,该方法包括:形成第一晶圆,第一晶圆包括电容区域和非电容区域,电容区域形成于第一晶圆的第一表面;在第一晶圆的非电容区域和第一表面上形成第一导电互连结构;对与第一晶圆的第一表面相对的第...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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