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本申请提供一种刻蚀方法，包括：预刻蚀步骤，向刻蚀腔室内通入第一工艺气体，并开启电源，对多晶硅栅极顶部表面进行刻蚀；上射频电源和下射频电源皆输出连续波；掺杂刻蚀步骤，通入第二工艺气体，对多晶硅栅极进行刻蚀；上射频电源输出连续波，下射频电源输出...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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