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本发明公开一种半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备，反应腔室设置有用于承载晶片的基座，反应腔室包括腔室本体、上电极和驱动机构；上电极包括介质窗和电极壳体，电极壳体包括第一壳体和第二壳体，第一壳体与腔室本体相连接，第一壳体套装于第二壳体，...
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