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本发明公开一种环栅半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，通过在衬底与源漏区之间形成隔离层，以抑制源漏漏电，无须使用成本较高的绝缘体上硅衬底，降低了半导体器件的制作成本。环栅半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的堆叠结构；堆叠结...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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